1. Fabrication and characterization of sub-0.25 micrometer CMOS p-n junctions by low energy gallium ion focused ion beam implantation
پدیدآورنده : H. C. Mogul
کتابخانه: مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبانهای اروپایی (قم)
موضوع : @p n junction,Applied sciences,Condensation,Electrical engineering,gallium,Pure sciences
