NATIONAL BIBLIOGRAPHY NUMBER
Number
۵۱۶۸پ
LANGUAGE OF THE ITEM
.Language of Text, Soundtrack etc
per
TITLE AND STATEMENT OF RESPONSIBILITY
Title Proper
QW-HBPT مدل سازی مداری Circuit Modeling of Quantum Well - Heterostructure Bipolar Phototransistor
First Statement of Responsibility
/انور شهامت حاجی‌خانلو
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
دانشگاه تبریز: دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر، گروه مهندسی برق و الکترونیک
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۱۲۳ص
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
CONTENTS NOTE
Text of Note
فاقداطلاعات کامل
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
برق و الکترونیک
Date of degree
۱۳۸۶/۱۱/۲۷
Body granting the degree
دانشگاه تبریز: دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر، گروه مهندسی برق و الکترونیک
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
در این پروژه به تحلیل و شبیه سازی مدل مداری ترانزیستور نوری نامتجانس می‌پردازیم .این ترانزیستور از نوع InP/InGaAs نامتجانس هست و در آن از AlGaAs/GaInAs بعنوان چاه کوانتوم استفاده می‌شود .و رفتارهای مختلف یک ترانزیستور نوری دوقطبی نامتجانس از قبیل رفتار سیگنال کوچک ، رفتار سیگنال بزرگ ، رفتار سوئیچینگ و رفتار نویزی و تأثیر چاه کوانتومی بر بهره نوری ارائه می‌شود. برای بررسی سیگنال کوچک از معادلات پیوستگی استفاده کرده و با بدست آوردن چگالی جریانهای نور تاریکی بیس و کلکتور، بهره جریان سیگنال کوچک و بهره جریان نوری را بررسی کرده و تأثیر پارامترهای مختلف از جمله تغییر پهنا و آلایش بیس و تغییر پهنا و آلایش کلکتور را بر روی آنها تحقیق و شبیه سازی نمودیم .در مورد رفتار سیگنال بزرگ از مدار معادل EbersMollتوسعه یا فته استفاده کرده و تأثیر بایاس و توان نوری را بر روی جریانهای مختلف DC و بهره نوری DC بررسی نموده و شبیه سازی کردیم . در مورد نویز معادلات حاکم بر رفتار نویزی را بدست آورده و سیگنال به نویز و سایر مؤلفه های نویزی را شبیه سازی کردیم .رفتار سوئیچینگHPT ، از جمله زمان افت و خیز را نیز تحقیق کردیم .همچنین پاسخ فرکانسی و تأثیر چاه کوانتومی را در طول موج ۱.۵۵m و ۱.۳m شبیه سازی نمودیم.
Text of Note
.In this project we analyze, simulate and design a circuit model for heterojunction transistor. This kind of transistor is based on InP/InGaAs heterostructure in which AlGaAs/GaInAs quantum wells are used. Different behaviors of this transistor such as small signal, large signal, switching and noise characteristics and the effect of quantum wells on optical gain is investigated.In order to investigate the small signal properties, we use continuity equations and by obtaining the dark current density of base and collector regions, we calculate the small signal current gain and optical current gain and also investigate the effect of different parameters like base and collector width and doping on the mentioned gains. For large signal behavior, we use extended Ebers-Moll circuit model and simulate the effect of bias and optical power on DC currents and optical gain. We also investigate the noise-related equations and therefore the signal to noise parameter. The switching behavior of the HPT such as rise and fall times, are studied. At last, the frequency response and either the effect of quantum wells on optical gain at ۱.۳?m and ۱.۵۵?m are simulated
TOPICAL NAME USED AS SUBJECT
Phototransistor
Heterojunction Phototransistor
hototransistor with Quantum well
QW-HBPT
HPT
PERSONAL NAME - PRIMARY RESPONSIBILITY
شهامت حاجی‌خانلو، انور
PERSONAL NAME - SECONDARY RESPONSIBILITY
رستمی، علی، استادراهنما
دائی کوزه‌کنانی، ضیاالدین، استادراهنما
میرنیا، میرکمال، استادمشاور
ظریفکار، عباس، استادمشاور
ELECTRONIC LOCATION AND ACCESS
Public note
سیاه و سفید
نمایه‌سازی قبلی
