عنوان

Investigating the effect of H atom absorption on the structural and electronic properties of silicon nanosheets using DFT approach

Number

T29234

.Language of Text, Soundtrack etc

انگلیسی

Title Proper

Investigating the effect of H atom absorption on the structural and electronic properties of silicon nanosheets using DFT approach

General Material Designation

Dissertation

First Statement of Responsibility

Tareq Ghazi Abbood

Name of Publisher, Distributor, etc.

Physics

Date of Publication, Distribution, etc.

1402

Specific Material Designation and Extent of Item

80p.

Other Physical Details

cd

Dissertation or thesis details and type of degree

M.S.

Discipline of degree

Optics- Laser

Date of degree

1402/06/11

Text of Note

The structural and electronic properties of silicene sheets in the presence and absence of the H atoms have been studied in the framework of the density functional theory approach. The calculations have been done using the Siesta computational package and generalized gradient approximation (GGA-PBE). The study of the structural properties exhibits that silicene monolayer in the presence and absence of the H atoms has a quasi-planar structure. In the presence of the H atoms, the Si-Si bond length and degree of curvature have increased. The results of electronic properties show that silicene sheet has the quasi-metallic behavior. The band structure and density of states of silicene sheets in the presence of hydrogen atoms have been investigated and reported. Furthermore, the total energy and binding energy of silicene structures in the presence and absence of the H atoms have been calculated and compared.

Text of Note

خواص ساختاری و الکترونیکی ورق سیلیکن در حضور و عدم حضور اتم های H در چارچوب رویکرد نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از بسته محاسباتی Siesta و تقریب شیب تعمیم یافته (GGA-PBE) انجام شده است. مطالعه خواص ساختاری نشان می‌دهد که تک لایه سیلیکن در حضور و عدم حضور اتم‌های هیدروژن ساختاری شبه مسطح دارد. در حضور اتم های هیدروژن، طول پیوند Si-Si و میزان انحنای آن افزایش یافته است. نتایج بررسی خواص الکترونیکی نشان می‌دهد که ورق سیلیکن دارای رفتار شبه فلزی است. ساختار نواری و چگالی حالت های ورقه های سیلیکن در حضور اتم های هیدروژن بررسی و گزارش شده است. علاوه بر این، انرژی کل و انرژی بستگی نانوصفحات سیلیکن در حضور و عدم حضور اتم H محاسبه و مقایسه شده است.

Variant Title

بررسی تاثیر جذب اتم هیدروژن بر خواص ساختاری و الکترونیکی نانوصفحه سیلیکن: رویکرد DFT

Subject Term

Density functional theory, silicene, hydrogen, structural properties, band structure.

Subject Term

نظریه تابعی چگالی، سیلیسن، هیدروژن، خواص ساختاری، ساختار نواری.

Entry Element

Ghazi Abbood,

Part of Name Other than Entry Element

Tareq

Relator Code

Producer

Entry Element

Safari,

Entry Element

Abdollahi Pour,

Part of Name Other than Entry Element

Ebrahim

Part of Name Other than Entry Element

Babak

Relator Code

Thesis advisor

Relator Code

Thesis advisor

Entry Element

Tabriz

Country

ایران

Agency

Central Library of Tabriz University

Date of Transaction

20231011

Call Number

ارشد پایاننامه QC776.G4 1402

Electronic name

Tareq Ghazi Abbood

Contact for access assistance

عبادی

e

TL

276903

a

Y