نمایش منو
صفحه اصلی
جستجوی پیشرفته
فهرست کتابخانه ها
انتخاب زبان
فارسی
English
العربی
عنوان
Nanoscale Transistors: Device physics, modeling and simulation
پدید آورنده
Mark S. Lundstrom, Jing Guo
موضوع
Metal oxide Semiconductor field-effect,Transistors -- Mathematical models,Nanostructured materials - Mathematical models,Nanotechnology
رده
T
،
174
.
7
،.
L86
،
2006
کتابخانه
كتابخانه مركزی و مركز اطلاع رسانی دانشگاه شاهد
محل استقرار
استان:
تهران
ـ شهر:
تهران
تماس با کتابخانه :
51214110
-
021
اطلاعات محلی رکورد
نوع مدرک
English Book
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Nanoscale Transistors: Device physics, modeling and simulation
نام نخستين پديدآور
Mark S. Lundstrom, Jing Guo
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
New York
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer
تاریخ نشرو بخش و غیره
c2006
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
vi, 217 p.: ill.; 24cm
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
Metal oxide Semiconductor field-effect
عنصر شناسه ای
Transistors -- Mathematical models
عنصر شناسه ای
Nanostructured materials - Mathematical models
عنصر شناسه ای
Nanotechnology
رده بندی کنگره
شماره رده
T
نشانه اثر
174
.
7
شماره رکورد رده بندي
.
L86
شماره رکورد غير از شماره رده بندي
2006
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
عنصر شناسه اي
Lundstrom, Mark
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
عنصر شناسه اي
Guo, Jing, 1977
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
اخطار!
اطلاعات را با دقت وارد کنید
گزارش خطا
پیشنهاد