نمایش منو
صفحه اصلی
جستجوی پیشرفته
فهرست کتابخانه ها
انتخاب زبان
فارسی
English
العربی
عنوان
Gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures
پدید آورنده
Panish, M.B.
موضوع
، Molecular beam epitaxy,، Gallium arsenide semiconductors
رده
QC
611
.
6
.
M64
P36
1993
کتابخانه
کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه فردوسی مشهد
محل استقرار
استان:
خراسان رضوی
ـ شهر:
مشهد
تماس با کتابخانه :
05138806503
شناسگر استاندارد دیگر
شماره استاندارد
51847
شماره استاندارد
53364
عنوان و نام پديدآور
نام نخستين پديدآور
Panish, M.B.
عنوان اصلي
Gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Berlin
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer-Verlag
تاریخ نشرو بخش و غیره
c1993
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
xiv, 428p.: ill. )some col.(
فروست
عنوان فروست
Springer series materials sciences; 62
يادداشت کلی
متن يادداشت
Bibliography: p. 399-421
متن يادداشت
Includes index
یادداشتهای مربوط به عنوان و پدیدآور
متن يادداشت
M.B. Panish, H. Temkin
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
، Molecular beam epitaxy
عنصر شناسه ای
، Gallium arsenide semiconductors
رده بندی کنگره
شماره رده
QC
611
.
6
.
M64
P36
1993
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
کد نقش
AU
نام / عنوان به منزله شناسه افزوده
عنصر شناسه اي
AU Temkin, H
عنصر شناسه اي
TI
عنصر شناسه اي
SE
شماره دستیابی
پسوند شماره بازيابي
CL
پسوند شماره بازيابي
CL
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
اخطار!
اطلاعات را با دقت وارد کنید
گزارش خطا
پیشنهاد