شناسگر استاندارد دیگر
شماره استاندارد
14353
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Process and device simulation for MOS-VLSI circuits
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Boston
محل نشرو پخش و غیره
Hingham, MA
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Nijhoff
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Distributors for the U.S. and Canada, Kluwer Boston
تاریخ نشرو بخش و غیره
1983
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
xii, 619p.:ill
فروست
عنوان فروست
NATO ASI series. Series E, Applied sciences; no.26
يادداشت کلی
متن يادداشت
"Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits. SOGESTA, Urbino, Italy, July 12-33, 1982."- T.P. Verso
متن يادداشت
"Published in cooperation with NATO Scientific Affairs Division"
متن يادداشت
Includes bibliographical references
یادداشتهای مربوط به عنوان و پدیدآور
متن يادداشت
edited by Paolo Antogentti...)et al.(
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
Very large scale integration - Simulation methods - Congresses ، Integrated circuits
عنصر شناسه ای
Metal oxide simulation methods - Congresses
رده بندی کنگره
شماره رده
TK
7874
.
N343
1982
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
کد نقش
AU
نام / عنوان به منزله شناسه افزوده
عنصر شناسه اي
AU Antognetti, Paolo
عنصر شناسه اي
TI
عنصر شناسه اي
SE
شناسه افزوده (تنالگان)
عنصر شناسه اي
NATO advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits )1982: Urbino, Italy(.
شماره دستیابی
پسوند شماره بازيابي
CL
