نمایش منو
صفحه اصلی
جستجوی پیشرفته
فهرست کتابخانه ها
انتخاب زبان
فارسی
English
العربی
عنوان
Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
پدید آورنده
Lundstrom, Mark
موضوع
، Nanotechnology,Mathematical models ، Metal oxide semiconductor field-effect transistors,Mathematical models ، Nanostructured materials
رده
T
174
.
7
.
L86
کتابخانه
كتابخانه مركزی و مركز اسناد دانشگاه صنعتی خواجه نصير الدين طوسى
محل استقرار
استان:
تهران
ـ شهر:
تهران
تماس با کتابخانه :
88881052
-
88881042
-
021
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
New York
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer
تاریخ نشرو بخش و غیره
c2006
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
vi, 217 p. : ill
يادداشت کلی
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index
یادداشتهای مربوط به عنوان و پدیدآور
متن يادداشت
Mark S. Lundstrom, Jing Guo
یادداشت های مربوط به نسخه اصلی
متن يادداشت
1
متن يادداشت
2
متن يادداشت
3
متن يادداشت
4
متن يادداشت
5
متن يادداشت
6
متن يادداشت
7
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
، Nanotechnology
عنصر شناسه ای
Mathematical models ، Metal oxide semiconductor field-effect transistors
عنصر شناسه ای
Mathematical models ، Nanostructured materials
رده بندی کنگره
شماره رده
T
174
.
7
.
L86
سایر رده بندی ها
شماره رده
NO
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
عنصر شناسه اي
Lundstrom, Mark
کد نقش
AU
نام / عنوان به منزله شناسه افزوده
عنصر شناسه اي
AU Guo, Jing 1977-
عنصر شناسه اي
TI
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
پیشنهاد / گزارش اشکال
×
اخطار!
اطلاعات را با دقت وارد کنید
گزارش خطا
پیشنهاد