عنوان

اندازه گی‍ـری آهنگ لایه نشانی در فیلمهای نازک مس تهیه شده به روش کندوپاش پلاسمایی

شماره

‭۷۶۳۴پ‬

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

اندازه گی‍ـری آهنگ لایه نشانی در فیلمهای نازک مس تهیه شده به روش کندوپاش پلاسمایی

نام نخستين پديدآور

/علی رحمتی

نام ناشر، پخش کننده و غيره

: دانشکده فیزیک

نام توليد کننده

، فرخی

نام خاص و کميت اثر

‮‭۱۰۷‬ص.‬

متن يادداشت

چاپی

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارش‍ــد

نظم درجات

رشته فیزیک

زمان اعطا مدرک

‮‭۱۳۸۴/۰۶/۳۱‬

کسي که مدرک را اعطا کرده

تبریز

متن يادداشت

امروزه تکنولوژی لایه‌های نازک به موضوعی گسترده تبدیل شده که محققان زیادی را مجذوب خود کرده است . گسترة وسیعی از مواد مختلف مانند عایق ، رسانا ، نیمه‌رسانا ، ابر رسانا و . . . به صورت لایه‌های نازک تهیه شده‌اند به گونه‌ای که حساسترین قسمتها در قطعات الکترونیکی ، الکترواپتیکی ، سنسورها و . . . به شکل لایه‌های نازک هستند. از سوی دیگر موادی به شکل لایه نازک وجود دارند که دارای خواص محافظتی هستند و از آنها می‌توان در جهت ممانعت از خوردگی ، فرسایش و سایر موارد مخرب استفاده کرد . در زمینة نانوتکنولوژی ، در قلمرو حالت جامد ، چاهها ، سیمها و نقطه‌های کوانتومی را می‌توان با تکنیکهای لایه نشانی خاص نهشت نمود. از این رو هدف عمدة گروهها بایستی این باشد که بهترین شرایط مساعد را برای یک نهشت فیلم مرغوب و عاری از هرگونه تنش و آلودگی در عین حال با چسبندگی خوب فراهم کنند . دستگاههای کندوپاش مگنترونی بر خلاف کندوپاشهای ‮‭DC‬ و‮‭RF‬ ساده که ، پلاسماهای گسترده در فضای اتاقک خلاء دارند ، یک پلاسمای محبوس به سطح هدف دارند از این رو فشار کاری پایینتری نسبت به دو نوع ذکر شده ، دارند و به همین علت دارای آهنگ نهشت بالاتری هستند . با کندوپاش پلاسمایی مگنترونی ‮‭RF‬ قادر هستیم تمامی مواد را به صورت لایه نازک تهیه کنیم در حالی که کندوپاش مگنترونی ‮‭DC‬ تنها مختص مواد رسانا از لحاظ الکتریکی است. در کندوپاش مگنترونی بحث آلودگی که برای ساختار فیلم مضر است به بهترین نحو کمینه می‌گردد و قطعات با کارایی بالایی می‌توان تهیه نمود . در این کار تجربی،تغییر آهنگ نهشت فیلم ‮‭Cu‬ با فاصله کاتد وزیرلایه وهمینطور فشار در سه حالت مختلف با منابع تغذیه ‮‭RF , DC‬ بطور جداگانه و با هم بررسی می گردد و نتایج حاصل مقایسه می شوند .همینطورتغییر از فاز آمورف به فاز بلوری در فیلم‮‭Cu‬ با دما) با استفاده از طیف ‮‭(XRD‬ تحقیق شده است .نتایج تجربی نشان می دهد که آهنگ نهشت متناسب با ‮‭۱/d۲‬ در حالات مختلف ذکر شده در بالا است .در فشارهای بالاتر، آهنگ نهشت بخاطر پراکندگی اتمهای کندوپاشی با مولکولهای گاز باقیمانده، کاهش می یابد .

متن يادداشت

.‮‭are in the film forms. In the other hand, there are thin film materials that's have protective properties so that they are used to prevent the objects concerned from erosion, corrosion and other destroying effects. In the field of nanotechnology in solid state area, quantum wells, wires and dots can be deposited by special deposition techniques .The main purpose of groupes is to provide the most favourable conditions for depositing desirable films with free of any contamination and also good adhesion . Magnetron sputtering in contrast to simple DC,RF sputterings that have extensive plasma within the chamber space ,has a confined plasma to target surface , hence during deposition process the operating pressure is lower than the two mentioned types, and for this reason magnetron sputtering has higher deposition rates .RF magnetron sputtering enables us to produce all of kinds of materials in the form of thin film , but DC magnetron sputtering is only allocated to sputter electrically conductive materials .The contamination which is injurious for film structure and composition is minimized in magnetron sputtering, resulting in the production of devices with higher purity and also efficiency.In this experimental work, the variation of Cu film deposition rates with the substrate- cathode spacing and also pressure have been investigated in three different states of using DC and RF sources and both together and the obtained results have been compared .The change of amorphous to crystalline phases in Cu film with tempreture (using XRD spectrum) have also been investigated .Experimental results show that the rate of deposition is proportional to ۱/d۲ in different cases mentioned above. At higher pressures, the rate of deposition is reduced due to scattering of sputtered atoms with the residual gas molecules‬ ‮‭۵‬, ‮‭are produced in the form of thin films, so that more sensitive portion in electronic, electrooptics and sensor devices۵‬,‮‭Today, thin film technology is converted to vast topic that attracted many investigator to itself . Extensive range of different materials such as insulator, conductor, semiconductor, superconductor‬

مستند نام اشخاص تاييد نشده

رحمتی،علی

مستند نام اشخاص تاييد نشده

بیدادی،حسن، استادراهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

پرهیزکار،مجتبی، استادراهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

سبحانیان،صمد، استادمشاور

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی