عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
TK,7871.96,.B55,S53,2008
TK
,
7871
.
96
,.
B55
,
S53
,
2008
کتابخانه
محل استقرار
شابک
ويژگيها
(alk. paper)
شابک
9781420066852
شماره کتابشناسی ملی
کد کشور
IR
شماره
ebook42696
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
انگلیسی
کشور محل نشر یا تولید
کشور محل نشر
IR
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices
نام عام مواد
[Electronic Resource]
نام نخستين پديدآور
/ edited by John D. Cressler
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Boca Raton
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: CRC Press/Taylor & Francis,
تاریخ نشرو بخش و غیره
, c2008.
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
1 v. (various pagings)
ساير جزييات
: ill. ; 26 cm.
يادداشت کلی
متن يادداشت
"The material was previously published in Silicon heterostructure handbook : materials, fabrication, devices, circuits and applications of SiGe and Si strained-layer epitaxy, Taylor and Francis, 2005"--T.p. verso.
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
e
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index.
عنوانهای گونه گون دیگر
عنوان گونه گون
Silicon heterostructure handbook
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Bipolar transistors--Materials
موضوع مستند نشده
Heterostructures.
موضوع مستند نشده
Silicon--Electric properties
موضوع مستند نشده
Epitaxy.
رده بندی ديویی
شماره
621
.
3815
,
28
رده بندی کنگره
شماره رده
TK
,
7871
.
96
,.
B55
,
S53
,
2008
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Cressler, John D
مبدا اصلی
کشور
ایران
شماره دستیابی
شماره بازیابی
621.3815,28
دسترسی و محل الکترونیکی
تاريخ و ساعت مذاکره و دسترسي
9781420066852.pdf
نوع فرمت الکترونيکي
0
نوع فرمت الکترونيکي
0
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
old catalog
وضعیت انتشار
فرمت انتشار
e
اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
BL
پیشوند ISBD اعمال شده است
1
اطلاعات دسترسی رکورد
سطح دسترسي
a
تكميل شده
Y
