عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
TK 7874 .N343 1982
TK
7874
.
N343
1982
کتابخانه
محل استقرار
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Process and device simulation for MOS-VLSI circuits
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Boston
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Nijhoff ; Hingham, MA : Distributors for the U.S. and Canada, Kluwer Boston
تاریخ نشرو بخش و غیره
1983
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
xii, 619 p.: ill.; 25 cm
فروست
ساير اطلاعات عنواني
NATO ASI series. Series E, Applied sciences ; no. 26
يادداشت کلی
متن يادداشت
"Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, SOGESTA, Urbino, Italy, July 12-23, 1982"--T.p. verso
متن يادداشت
"Published in cooperation with NATO Scientific Affairs Division."
متن يادداشت
Includes bibliographical references
یادداشتهای مربوط به عنوان و پدیدآور
متن يادداشت
edited by Paolo Antognetti ... ]et al.[
یادداشت های مربوط به نسخه اصلی
متن يادداشت
1
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
، Integrated circuits- Very large scale integration- Simulation methods- Congresses
عنصر شناسه ای
، Metal oxide semiconductors- Simulation methods- Congresses
رده بندی ديویی
شماره
621
.
381
/73
رده بندی کنگره
شماره رده
TK
7874
.
N343
1982
سایر رده بندی ها
شماره رده
NO
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
عنصر شناسه اي
NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits )2891 : Urbino, Italy(
کد نقش
AU
نام / عنوان به منزله شناسه افزوده
عنصر شناسه اي
AU Antognetti, Paolo
عنصر شناسه اي
TI
